四種對準和曝光系統、黃光微影技術、光阻駐波效應在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說

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列出組成光阻(photoresist)的四個成分. •敘述正光阻(+PR)和負光阻(−PR)的差異. •敘述微影製程(photolithography)的順序. •列出四種對準(alignment)和曝光(exposure) ...

阻剝除. 4. 光罩/倍縮光罩. (Mask). 曝光. Exposure. 顯影. Development ... 對準及曝光 ... K1 為系統常數, l 為光波長, NA = 2 ro/D, 為數值孔徑.

一般常見的兩大曝光機對準系統Alignment System ，分別為TTL 對準(Through The. Lens)及偏軸對準(OA， Off-axis )，在步進機進行曝光前，必須對光罩(Reticle ) 系統及晶.

敘述微影製程(photolithography)的順序.•列出四種對準(alignment)和曝光(exposure)系統gp.)•敘述晶圓在步進機整合系統(track-stepper.,阻剝除.4.光罩/倍縮光罩.(Mask).

這層光阻劑在曝光（一般是紫外線波長的準分子雷射）後可以被特定溶液（顯影液）溶解。 ... 微影製程中採用的感光物質被稱為光阻，主要分為正光阻和負光阻兩種。

3. 曝光（exposure）用光罩對準儀（mask aligner）或步進照像機（stepper）。前者一次曝光一整片晶圓（wafer），後者以步進重覆方式，一次曝光數個晶. 片 ...

曝光模組整合在對準模組之中，並對塗佈在基底上的一光阻層執行一曝光程序。本發明另提供一種對準系統，適用於積體電路的製造，並包括一基底平台、一可調式光源、 ...

紅外線雙面對準曝光機 ... 軟烤：或稱曝光前烘烤，主要用來將光阻殘留溶劑去除，增加光阻對晶片之附著力。 ... (1)接觸法 (2)鄰近法 (3)投影法 (4)不需光罩之直寫法.

(4) 說明四種對準和曝光系統。 (5) 說明IC製程中最常使用的對準和曝光系統。 (6) 說明晶圓在軌道步進機整合系統中的行進動作。 (7) 說明解析度與景深對應波長和數值 ...

與膜厚比例相差懸殊(如圖4-5 所示)，與顯影程序中，化學液表面. 張力、凡得瓦力或靜電力，造成結構因 ... SU-8 光阻：第二層SU-8 光阻經軟烤後，可以曝光機之對準專.